【緯來新聞網】摩根士丹利最新報告指出,為因應英特爾EMIB-T技術競爭,台積電(2330)CoPoS先進封裝技術量產時程有望提前至2028年,以滿足採用2奈米以下製程GPU及AI ASIC的需求,特別是輝達(NVIDIA)下世代Feynman架構GPU。

CoPoS採用大面積重布線層(RDL),突破傳統矽中介層的光罩尺寸限制,支援超大面積晶片整合,更適合次世代AI系統需求。雖然目前技術成熟度仍不及CoWoS、互連密度也較低,生態系與可製造性仍待發展,但在擴展性與成本效益方面具備優勢。
根據大摩調查,輝達次世代Feynman GPU已確定採用CoPoS架構。不過,首代產品預計將於2028年先導入3D堆疊與碳化矽(SiC)載板散熱,2029年推出的Feynman Ultra則可望全面採用CoPoS技術。
報告指出,台積電CoPoS主要生產基地位於台南AP7廠區,並與日本載板大廠揖斐電(Ibiden)合作,同時攜手群創(3481)布局TGV(玻璃通孔)製程,群創將負責玻璃面板TGV製程,預估最快2028年投產。
摩根士丹利分析師表示,TGV形成及後續鍍銅製程對群創而言仍具相當技術挑戰,需導入全新設備,突破既有面板製程限制。市場預期,除揖斐電外,未來也將有更多載板廠商加入玻璃核心基板供應鏈。

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