1 片 HBM 換 4 片 DRAM　短缺高峰 2027 Q4 才來？

【緯來新聞網】記憶體到底缺到什麼時候？市調機構 IDC 今（8）日舉行記憶體產業展望線上研討會，IDC 企業基礎架構全球研究副總裁 Soo-kyoum Kim 給出的答案比市場想的更悲觀：短缺不但不會在近期緩解，真正的高峰要到 2027 年第四季才會出現，市場反轉點則延後至 2028 年下半年。

各家原廠明明都在擴產，為什麼市場反而越來越缺？Kim 點出關鍵：HBM 對標準型 DRAM 的排擠是「1 換 4」，原廠每生產 1 片 HBM 晶圓，就要犧牲 4 片標準型 DRAM 晶圓的產能。

綜觀市場局面，HBM 佔 DRAM 總產能的比重今年約 20％，明年將衝上 28％ 至 29％；加上 NVIDIA 下一代 Vera Rubin 平台將採用的 SoCAM 模組，兩者合計吃掉近 35％ 產能，幾乎是動不了的「鎖定產能」。此外，各原廠與客戶簽訂的長期供貨協議（LTA）至少又鎖走 10％，等於總產能有 50％ 到 55％ 早就被卡死，留給現貨市場的標準型 DRAM 勢必陷入嚴重短缺。

庫存也救不了，DRAM 庫存水位已低於正常的 4 週，「實際上是沒有庫存」，而且原廠關閉舊產線後（如三星已關閉 Line 14、Line 20），也不想再堆舊製程產品的庫存。

整體來看，DRAM 位元產出的增速已經追不上需求，加上庫存見底，供需缺口將持續擴大。Kim 估計 DRAM 實際短缺已達 2 成、伺服器領域的缺口更高達 40％，NAND 因還有些庫存、短缺約 15％，相對較輕。但雪上加霜的是，HBM4 第四季開始放量，將進一步排擠標準型 DRAM 產能，短缺將一路惡化到 2027 年底。

既然擴產解不了近渴，市場只能等新廠。Kim 解析，2027 年 DRAM 有 3 座新廠、NAND 有 2 座開出，仍補不上缺口；要到 2028 年，DRAM 一口氣有 4 座新廠開出、NAND 僅 1 座，供給才會在下半年出現轉折，2029 年則輪到 NAND 開 4 座新廠，因此反轉點會在 2028 年下半年出現。

價格方面，Kim 預估 DRAM 價格今年將漲到去年的約 3 倍，明年再漲 55％，要到 2028、2029 年才回落到低雙位數的跌幅、回歸正常循環；NAND 今年同樣漲約 3 倍，明年漲幅收斂至 30％。他也提醒，明年短缺雖然更深，但漲幅不會像今年這麼猛，因為原廠很清楚價格再拉高會引發買方反彈。

Kim 總結，AI 已經讓記憶體從「產業零組件」升格為像能源、電信、交通一樣的核心基礎設施，市場週期不會消失，但會