美光斥資240億美元　擴新加坡晶圓廠NAND產能

【緯來新聞網】記憶體大廠美光（Micron）今日於新加坡舉行先進晶圓製造廠動土典禮。此項計畫預計在未來 10 年內投入約 240 億美元，擴張快閃記憶體（NAND）產能。新廠區落成後將提供 70 萬平方英尺的無塵室空間，並預計於 2028 年下半年正式投產，以滿足 AI 與資料導向應用快速發展帶來的全球市場需求。

（圖／翻攝自Micron Technology YT）

美光科技全球營運執行副總裁 Manish Bhatia 指出，這項投資凸顯了美光對新加坡作為全球製造網絡樞紐的長期承諾，不僅能增強供應鏈韌性，更將推動 AI 驅動的全球經濟轉型。新廠將併入美光在新加坡的 NAND 快閃記憶體卓越中心，透過研發與製造一體化提升效率。值得注意的是，該園區內正同步推進 HBM 先進封裝廠建設，預計 2027 年投產，屆時 NAND 與 DRAM 生產將產生強大協同效應，使美光能靈活調整產能以精準對接市場需求。

此外，新工廠預計將直接創造約 1,600 個工作機會。結合先前宣布的 HBM 先進封裝擴張計畫，美光近年在新加坡已帶動數千個職位需求。此舉除了推動當地先進製造生態系的發展，也將協助在地勞動力掌握 AI 浪潮下的全新轉型契機。