【緯來新聞網】荷蘭半導體設備龍頭 ASML 宣布,其研究團隊已成功提升極紫外光刻(EUV)設備的光源功率,預估在 2030 年前可讓晶片產能提高最多 50%,進一步鞏固公司在先進製程設備領域的領先地位。隨著美國與中國積極投入相關技術研發,ASML此舉被視為拉開技術差距、強化競爭優勢的關鍵布局。

(圖/翻攝自 ASML 官網)
ASML是全球唯一一家商用 EUV 設備的製造商,該設備為製造高階運算晶片不可或缺的核心工具,包括台積電與英特爾等晶片大廠皆仰賴其設備推進先進製程。此次技術突破聚焦於 EUV 系統中最具挑戰性的光源模組,成功將輸出功率由目前約 600 瓦提升至 1,000 瓦。在符合客戶量產條件下穩定運作,並非實驗室階段的短期展示成果,功率提高可提升晶片產量,進而降低晶片成本。
負責 NXE 系列 EUV 設備的高層也表示,目標是在 2030 年前,將每台機器每小時晶圓處理量由目前約 220 片提升至約 330 片。依晶片尺寸不同,每片晶圓可生產數十至數千顆晶片。公司同時透露,未來仍具進一步提升至 1,500 瓦甚至更高功率的技術潛力,顯示 EUV 平台的升級空間仍相當可觀。

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