SK海力士秀散熱救星！　新技術「iHBM」熱阻降30％拚導入HBM5

2026/5/26緯來財經

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【緯來新聞網】南韓記憶體大廠 SK 海力士於今（26）日發表新散熱技術「iHBM」，此項新技術的核心突破，在於在 HBM 封裝中直接植入冷卻元件（ICE），從結構源頭有效解決了人工智慧（AI）晶片長期面臨的嚴重散熱瓶頸。有別於傳統間接散熱，iHBM 直接在發熱最劇烈的D2D PHY（晶片間物理層）建立專用通道，使熱阻大幅降低 30％以上，確保 AI 晶片在高負載下穩定運行。

南韓記憶體大廠 SK 海力士於今（26）日發表新散熱技術「iHBM」（圖／達志影像）

除了優異的散熱效能，iHBM 還具備極高的產品相容性。大型科技客戶在部署下一代系統時，只需進行極少的設計調整，即可立刻採用這項新的散熱技術。這項優勢不僅為客戶省去了傳統升級所需的大幅架構修改，更能顯著降低導入新技術的時間與資金成本。

SK海力士對此技術寄予厚望，並透露未來的發展藍圖，計劃從 HBM5 等下一代的產品中開始，全面導入並應用此項創新的 iHBM 技術，持續穩固其在AI記憶體市場的領先地位。