【緯來新聞網】全球 AI 浪潮引爆高速運算紅利,美光、三星、SK海力士等記憶體巨頭因 HBM 賺得盆滿缽滿。面對動輒千億美元的國際軍備競賽,沒有大筆資金進行規模戰的台灣供應鏈,該如何突圍?緯來財經《投資聊一SHOT》邀請陽明交大電子研究所林英超教授,與資策會 MIC 產業顧問鄭凱安,一同深入解析台廠的「反守為攻」策略。

祕密武器一:不盲目擴產!靠「客製化與跨業合作」綁定客戶
鄭凱安表示,台灣記憶體產業走向利基型市場,是受到2000年代初期國際大廠以價格競爭擠壓市場空間所影響。在標準型DRAM市場逐漸由韓國與美國大廠主導後,台灣業者轉而承接成熟製程與特定應用需求,成功在工業、車用、物聯網等領域建立市場地位。也透過客製化設計、高良率與客戶建立深度合作關係,形成難以取代的競爭優勢。
面對全球AI帶動的新一波記憶體需求,鄭凱安建議,台廠未來3至5年應採取「漸進式擴產」策略,在控制成本與維持獲利的同時,持續投入研發,確保技術不掉隊,才能順利承接全球記憶體產業升級所釋出的市場機會。
祕密武器二:盯緊 HBF 新技術!引爆「存算一體」能效革命
除了固守利基,業界正緊盯下一世代的記憶體再進化—— HBF(高頻寬快閃記憶體)。
林英超解釋, HBM 是 DRAM 的進化,而 HBF 則是 3D NAND Flash 的堆疊封裝技術,能實現極高容量與多通道傳輸。這項技術徹底顛覆傳統資料在 Flash、DRAM 與 CPU 之間漫長搬移的瓶頸:
1、近存運算(Near Memory):在記憶體模組旁增加控制器,直接在內部進行資料複製或邏輯運算,省去搬移時間。
2、存算一體(類腦運算):儲存與計算完全融合。這種架構能讓能效(Energy Efficiency)極大化,是高功耗 AI 資料中心最迫切的節能解方。
護城河已築!台積電、旺宏搶先卡位
林英超透露,雖然大規模量產仍有良率考量,但 5 到 10 年內小規模商業應用絕對看得到。目前台積電在 MRAM、RRAM 等新型嵌入式記憶體已導入存算一體研發;旺宏也積極卡位自主 3D Flash 技術。台廠憑藉卓越的系統整合能力,在這場全球記憶體進化浪潮中,早已站穩絕佳賽道。
想看更多關於精彩內容,請鎖定「緯來財經YouTube」《投資聊一SHOT》,於每周二、四準時上新片!

文章語音朗讀