記憶體原廠壟斷 HBM、韓國砸 620 兆韓元卡位　MIC：中國落後 3 至 5 年

【緯來新聞網】「只要產能一出來，全部馬上被預訂一空。」資策會 MIC 資深產業分析師楊正瑀在 2026 MIC FORUM Fall《躍進 AI Leap》研討會上，用這句話形容高頻寬記憶體（ HBM ）如何徹底翻轉記憶體產業的供需結構。

楊正瑀指出，AI 訓練與推論需求集中拉抬 DRAM ，2023 年至 2028 年全球記憶體市場年複合成長率達 29.7％ ，其中 DRAM 更高達 37％ ；市場規模預估將從 2023 年的 519.45 億美元，一路衝上 2026 年的 2,070.2 億美元。

其中，HBM 採 3D 堆疊架構，毛利可達一般 DRAM 產品的 1.5 至 2.5 倍，讓記憶體業一舉甩開過去景氣循環、產能過剩的買方市場困境，翻轉為供不應求的賣方市場。

三原廠壟斷技術門檻　中國仍落後 3 至 5 年

盤點全球現況，目前只有三星、SK 海力士、美光三大原廠能量產，且 HBM 營收占各自整體營收比重分別約 35％、30％ 及 25％，成為牽動全球產能分配的關鍵指標，近期中國長鑫存儲大舉投入設廠擴廠，但楊正瑀坦言，技術仍落後 3 至 5 年。

在技術布局上，三大原廠則走兩條不同路線，SK 海力士與美光的 HBM4 交由台積電代工，自己專注記憶體本業；三星則憑藉自身邏輯製造能力朝 2 奈米 GAA 發展，走「一條龍」服務模式，藉此加快客製化回應速度。

韓廠砸 620 兆韓元擴廠　台灣美光 DRAM 產能達 6 成

為鞏固領先優勢，韓國兩大廠展開超大型投資，三星投資總額逾千兆韓元，於龍仁「國家系統半導體產業園區」計畫興建 6 座晶圓廠；SK 海力士投資總額則達 1,100 兆韓元，同樣落腳龍仁興建新廠，兩者合計讓龍仁園區總投資超過 620 兆韓元（約 4,500 億至 5,000 億美元）。

美光也宣布投資 2,500 億美元推動美國本土產能重塑，目標將本土產能占比拉高至 40％，並在台灣設立高階 DRAM 製造與 HBM 封裝中心，收購力積電銅鑼晶圓廠擴大產能，台灣美光的 DRAM 產能已占其全球比重達 6 成。

楊正瑀提醒，記憶體下一個戰場已不侷限於 HBM，三星推出 z-NAND 、SK 海力士發表 HBF 原型，記憶體內處理（ PIM ）與 CXL 協定也逐漸受到重視，可望緩解 HBM 需求與先進封裝產能壓力，並帶動傳統 DDR 記憶體市場需求回溫。