英特爾、三星也挺 ASML 12 吋光罩！2028 導入 High NA EUV 量產 DRAM

【緯來新聞網】繼台積電、ASML（艾司摩爾）於 9 月 7 日聯合宣布轉移至 12 吋光罩後，英特爾（Intel）與三星（Samsung）也分別在本週的 SPIE 光罩技術暨極紫外光微影研討會前後跟進表態，加入這項推動下一代 12 吋光罩規格的產業倡議，並擴大與 ASML 在 High NA EUV 技術上的合作。

兩家公司的路線各有側重，英特爾持續推進 High NA EUV 在邏輯製程的量產準備，三星則規劃將這項技術導入未來的 DRAM 製造。

英特爾 100 萬片晶圓　驗證 High NA 量產可行性

英特爾晶圓代工（Intel Foundry）與 ASML 表示，雙方迄今已製造超過 100 萬片晶圓，應用 High NA EUV 相關製程範圍從早期設備認證、測試與研發，到代號 Panther Lake 的 Intel Core Ultra Series 3 處理器部分特定層的量產，疊對精度、產能及設備可用率均達到英特爾晶圓代工的預期。

英特爾晶圓代工三年多來持續倡議大尺寸光罩規格，並與 ASML、光罩製造商、EDA 合作夥伴等產業夥伴合作，推進 High NA 規模化所需的標準與基礎設施。英特爾晶圓代工共同總經理 Naga Chandrasekaran 指出，因應 AI 產品日益複雜的製造需求，公司近期聚焦支援客戶沿用現行 6 吋光罩、搭配拼接技術採用 High NA EUV，同時推動 6×12 吋光罩轉型。

ASML 執行長 Christophe Fouquet 表示，英特爾晶圓代工從 2024 年安裝首套商用 EXE 系統，到出貨首款 High NA 高量產邏輯產品，一直是引領產業採用 High NA 的關鍵業者。

三星擴大合作　瞄準 2028 年導入 DRAM 製造

另一方面，三星電子與 ASML 同步宣布擴大長期戰略夥伴關係，加深在 High NA EUV 及先進半導體製造技術上的合作。三星表示，加入業界倡議推進下一代 12 吋光罩技術，轉換至更大的 12 吋光罩預期將進一步提高晶圓廠生產力，降低晶片製造成本，並可望消除現行 6 吋光罩規格下的拼接限制。

三星規劃將於 2028 年前，首次在未來 DRAM 量產中導入 ASML 的 High NA EUV 微影技術，展示該技術已準備好支援先進記憶體應用，有望延展 DRAM 微縮路線圖並簡化製程。

三星電子副董事長暨執行長尹富根表示，AI 時代正在改變半導體產業，突破性技術與強大的夥伴關係，對維持先進製造領導地位至關重要。

台積電、英特爾、三星三大晶圓製造巨頭已在同一週內先後表態支持 12 吋光罩轉型，並各自釋出與 ASML 在 High NA EUV 上的合作進展，顯示這項被視為下一代先進製程關鍵基礎建設的技術轉型，正逐步凝聚全產業共識。