台積電鬆口了！攜手 ASML 推 12 吋 High EUV 光罩　2030 導入先進製程

【緯來新聞網】ASML （艾司摩爾）與台積電於 9 月 7 日在加州蒙特雷舉辦的 BACUS 國際光學工程學會（SPIE）先進微影技術研討會前，共同宣布發起產業合作，推動半導體業界轉移升級至更大尺寸的極紫外光（EUV）微影光罩，將現有 6 吋光罩轉移至 12 吋光罩，把高數值孔徑極紫外光（High NA EUV）微影技術的價值發揮到極致。

雙方表示，此次轉移目標是在 2031 年之前建立 12 吋光罩試產線，並於 2033 年之前實現微影系統全面就緒，支援先進製程量產；轉移至 12 吋光罩能進一步提升晶圓廠生產力、降低晶片製造成本，並消除目前 High NA EUV 曝光時，因需要兩張 6 吋光罩拼接而產生的限制。

台積電董事長暨總裁魏哲家表示，台積電深信唯有產業攜手解決複雜問題，才能開創單一企業無法獨力實現的無限可能，希望藉由匯聚產業價值鏈的專業能力，透過持續創新降低門檻，讓先進解決方案得以大規模普及，進而持續傳遞尖端技術的價值。

值得留意的是，魏哲家先前已多次談及台積電對 High NA EUV 的審慎態度：他在今年 6 月台積電股東會上表示「台積電有買，也不是不投資，也不方便對外揭露買了幾台，只是還沒有投入生產，時間到了就會投入生產」；在 7 月第 2 季法說會上他進一步說明「High NA EUV 具備相當優異的效能，但是否正式導入量產，不能只看技術表現，還要同步評估設備成本、技術成熟度」，強調最終將依技術成熟度與成本效益決定導入時程。

但此次台積電終於給出肯定，有意從 2030 年起，在先進製程量產中導入 ASML High NA 技術；隨著製程技術持續推進，特別是在 AI 應用帶動電晶體架構日益複雜的趨勢下，台積電預期需要使用 High NA EUV 曝光的光罩層數將隨之增加。

ASML 上週在 SEMICON Taiwan 2026 透露，截至目前全球已有 4 家客戶完成裝機、共 10 台 High NA EUV 機台正式投入運作，另有 3 台系統仍在出貨與安裝階段；經認證的 EXE:5200B 機型已在測試中達到每小時 135 片晶圓的產能，具備支援大量生產的能力，未來目標是在這個十年內把產能拉高到每小時 180 片以上。

艾司摩爾總裁暨執行長 Christophe Fouquet 表示，隨著元件微縮藍圖的推進，High NA EUV 的採用將逐步提升，初期沿用現行 6 吋光罩，而後導入 12 吋光罩以進一步提升設備生產力，滿足市場對更小、更快、更節能晶片的需求，並表示這項合作在初期便獲得半導體製造廠商、光罩廠商及合作夥伴的大力支持。