記憶體DRAM缺貨潮延續？　研調：2027供需缺口擴大

【緯來新聞網】根據研調機構 TrendForce 最新記憶體產業研究指出，2027 年全球記憶體市場將持續由 AI 應用主導，但 DRAM 與 NAND Flash 呈現不同的供需走向。DRAM 市場受惠於 AI 伺服器強勁需求及 HBM（高頻寬記憶體）嚴重排擠產能，供給持續吃緊、價格偏強。NAND Flash 則因業者加速技術升級與新產能開出，加上終端消費需求疲軟，明年下半年恐面臨供給轉趨寬鬆與價格修正壓力。

為滿足 AI 基礎建設的急迫需求，各大 DRAM 廠雖已啟動擴產與製程升級，但新廠產能多需等到 2028 年才能顯著釋放。加上 HBM 製造過程消耗大量晶圓，大幅壓抑了有效位元的產出成長。在需求端，隨著北美雲端巨頭擴大資本支出、新世代 CPU 平台陸續登場，以及單機記憶體容量大幅提升的帶動下，預估 2027 年 DRAM 的需求增速將超越供給，使供需缺口較 2026 年進一步放大。

在 NAND Flash 方面，隨著各大原廠加速轉進高層數堆疊技術，加上新產能釋放，2027 年的位元供給成長將比 2026 年更為顯著。儘管 enterprise SSD（企業級固態硬碟）受惠於 AI 伺服器建置而需求暢旺，但智慧型手機與筆記型電腦等消費性電子產品，因零組件成本上揚導致終端售價提高，買氣持續遭受壓抑。在產能大增而消費需求疲軟的情況下，2027 下半年 NAND Flash 市場供需將結構性反轉、趨於寬鬆。

展望後市，DRAM 高價是否影響雲端業者採購仍待觀察。至於 NAND Flash 部分，雖然市場預計走向寬鬆，但若 Agentic AI 的商業化普及取得突破性進展，將有機會大幅拉升對高速大容量 SSD 的需求，為 NAND Flash 市場帶來支撐，進而使整體供需回歸平衡。