AI記憶體需求旺到2030！　SK海力士砸40億美元赴美擴產

【緯來新聞網】AI熱潮持續推升高頻寬記憶體需求，南韓記憶體大廠SK海力士加速擴大美國布局。SK海力士27日在美國印第安納州西拉法葉舉行新廠動土典禮，計畫投入超過40億美元，打造公司在美國首座HBM生產基地，執行長郭魯正表示，目標2030年前讓印第安納州成為美國關鍵HBM生產據點。

新廠位於普渡大學研究園區，預計2028年下半年啟用無塵室，2029年第三季開始量產下一代HBM4E，未來年產能可望達到數十萬片晶圓。生產模式將串聯美韓兩地，先由南韓廠生產先進晶圓，再送往印第安納州進行先進封裝與測試，最後供應美國客戶，包括輝達、微軟及Google等科技巨頭。

HBM透過垂直堆疊記憶體晶片，大幅提升資料傳輸速度及能源效率，是輝達等AI加速器不可或缺的關鍵零組件。隨著全球科技巨頭持續擴建AI資料中心，HBM需求快速攀升。郭魯正指出，目前還看不到明顯的記憶體景氣反轉訊號，供應吃緊情況可能一路延續至2030年底，即使市場最終降溫，需求也可能只是放緩，而非大幅下滑。

除了生產線，SK海力士還將在當地設置先進封裝研發中心，並與普渡大學合作開發下一代封裝技術。目前公司已串聯超過100家材料、零組件及設備供應商，整體計畫預估可創造約7,000個直接與間接工作機會。隨著AI晶片需求持續成長，SK海力士也正把HBM供應鏈進一步向美國延伸，搶占下一波AI基礎建設商機。