三星、SK海力士搶EUV設備！ASML產能吃緊至2028年？

SK海力士已揭露一筆約11.95兆韓元的EUV設備採購計畫，預計在2027年底前完成交付，主要支援1c DRAM製程轉型，也就是第六代10奈米級DRAM。隨著製程持續微縮，EUV應用層數據悉將從過去約3層增加至5層以上，代表單條產線對設備的需求也將同步提高，進一步推升資本支出。

三星則同步擴大先進記憶體產能，除了在平澤P4廠增設HBM4相關生產線，也持續推進P5廠建設。P5首座晶圓廠預計2028年投產，一期無塵室規劃於2027年上半年完工，相關光刻設備也已開始安排進場。此外，三星與SK海力士都將目光瞄準下一代製程，規劃2027年開始量產1D DRAM，並於2028年進一步推進10奈米以下的0a DRAM，屆時將逐步導入更先進的High-NA EUV技術。

不過，EUV設備供應吃緊的情況恐怕短期難以緩解。ASML在第三季財報中示警，即使持續擴充產能，2027年及2028年的設備供應仍可能無法滿足需求，部分客戶甚至已開始詢問2029年、2030年的交貨安排。除了前段製程設備，後段先進封裝也面臨產能壓力，韓美半導體、安靠等業者訂單能見度據悉已達兩至三年，尤其用於HBM製造的熱壓鍵合機需求持續升溫。

隨著AI晶片競爭從前段製程延伸至先進封裝，記憶體業者不僅要搶產能，更得提前確保關鍵設備到位。這波EUV設備爭奪戰，反映出三星與SK海力士對下一代DRAM及HBM市場的積極卡位，如何在擴產速度與投資效益之間取得平衡，將成為兩大廠接下來的重要考驗。