英特爾 EMIB-T 封裝良率衝上 90％、加碼俄亥俄廠　挑戰台積電 CoWoS

【緯來新聞網】英特爾（Intel）先進封裝技術 EMIB-T 傳出重要進展！據外媒消息指出，封裝段良率已逼近 90％，且據傳成本比台積電的 CoWoS 便宜約 50％，若能順利放量，可望為英特爾在先進封裝市場再添籌碼。

根據外媒《Wccftech》報導， EMIB-T 的技術核心是在封裝內嵌入矽橋、搭配矽穿孔（TSV），讓訊號傳輸與供電路徑的密度大幅提升；由於免去昂貴的矽中介層，具備結構性成本優勢，對成本敏感的 AI 與 ASIC 客戶深具吸引力，英特爾規劃 2027 年 開始大量供應這項封裝服務。

不過，EMIB-T 距離真正放量仍有一段路要走。報導指出，儘管封裝段良率已站上 90％，基板良率目前仍卡在 50％ 左右，尚未突破的瓶頸恐限制整體出貨速度，供應鏈廠商欣興電子近期在法說會上也重申，EMIB-T 目前仍屬早期發展階段，目前重心將放在加速放量，並與客戶攜手把良率持續往上推。

與此同時，英特爾也正加速推進位於美國俄亥俄州、占地 1,000 英畝 的晶圓廠建置計畫，銜接 18A 與 14A 兩大先進製程節點的量產布局。英特爾近期已開始對建廠人員加發額外的加班獎勵，盼藉此縮短工程時程，力拚在 2031 年 前讓新廠正式進入高量產階段，如期達成 14A 製程的生產目標。

市場分析，一旦 EMIB-T 的成本優勢能在良率穩定後真正落地，可能打亂目前由台積電主導的先進封裝代工版圖，尤其在價格敏感的客戶群中形成一定的替代效應。